.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
(3146).jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
(0).jpg)
.jpg)
.jpg)
(1096).jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.JPG)
.png)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
(946).jpg)
.jpg)
.jpg)
(3863).jpg)
(840).jpg)
.png)
.jpg)
(0).jpg)
-1.5-BW.png)
- 공유하기
-
반도체/전자부품
ZXMC3A17DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
2,353원
(VAT 별도)-
제품번호
G000679798
-
브랜드명
Diodes Incorporated
-
제조사
Diodes Incorporated
-
M.O.Q
1
-
평균발송일
약 6일
-
포장단위
컷 테이프(CT)
-
판매단위
1
-
배송비
3,000 (60,000원 이상 무료배송)
MOSFET - 어레이 30V 4.1A, 3.4A 1.25W 표면 실장 8-SO
- 수량별단가
1 ~ 9 : 2,353원
10 ~ 99 : 1,483원
100 ~ : 988원
수량
총 주문 금액
2,353원
(VAT 포함) 2,588원
*상세페이지가 노출되지 않을 시 Ctrl+F5를 눌러 캐시 삭제를 해주세요.
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 구성 | N 및 P 채널 |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A, 3.4A |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7.8A, 10V |
| Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA(최소) |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 12.2nC(10V) |
| 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 600pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 1.25W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 실장 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO |
등록된 사용후기
사용후기가 없습니다.
등록된 상품문의
상품문의가 없습니다.
